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一文讀懂CCD、EMCCD、CMOS和sCMO
來(lái)源: 閱讀:411 發(fā)布時(shí)間:2023-02-02 10:33:22
一文讀懂CCD、EMCCD、CMOS和sCMO
CCD的誕生與工作原理
CCD(charge coupled device,電荷耦合器件)是貝爾實(shí)驗(yàn)室W.S. Boyle和G.E.Smith于1970年發(fā)明,由于它有光電轉(zhuǎn)換、信息存儲(chǔ)、延時(shí)和將電信號(hào)按順序傳送等功能,且集成度高,功耗低,因此得到飛速發(fā)展。CCD是圖像采集及數(shù)字化處理必不可少的關(guān)鍵器件,廣泛應(yīng)用于科學(xué)、教育、醫(yī)學(xué)、商業(yè)、工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域。
CCD 由許多感光單位組成,通常以百萬(wàn)像素為單位。當(dāng) CCD 表面受到光線照射時(shí),每個(gè)感光單位會(huì)將電荷反映在組件上,所有的感光單位所產(chǎn)生的信號(hào)加在一起,就構(gòu)成了一幅完整的畫(huà)面。
|CCD 的比較顯著特點(diǎn)
①技術(shù)成熟;②成像質(zhì)量高;③靈敏度高,噪聲低,動(dòng)態(tài)范圍大;④響應(yīng)速度快,有自?huà)呙韫δ?,圖像畸變小,無(wú)殘像;⑤應(yīng)用超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)生產(chǎn),像素集成度高,尺寸精確。
CCD工作過(guò)程有四個(gè),原理示意圖如下
信號(hào)電荷產(chǎn)生;信號(hào)電荷存儲(chǔ);信號(hào)電荷傳輸;信號(hào)電荷檢測(cè)與輸出。
|CCD的分類(lèi)
CCD分類(lèi)有很多種,線陣CCD、面陣CCD、全幀CCD、三線傳感器CCD等。全幀CCD具有更多的功率處理能力、更好的動(dòng)態(tài)范圍、低噪聲和傳輸光學(xué)分辨率,可以實(shí)時(shí)拍攝全色圖像。CCD曝光通過(guò)機(jī)械快門(mén)或快門(mén)進(jìn)行控制來(lái)保存圖像,并行寄存器用于測(cè)光和測(cè)光值的讀取。圖像被投影到屏幕上的并列陣列上。這個(gè)元件接收?qǐng)D像信息,將其分成由離散數(shù)量決定的量化要素。這些信息流從并行寄存器流向串行寄存器。此過(guò)程將重復(fù)進(jìn)行,直到所有信息都被傳輸。
EMCCD在傳統(tǒng)的CCD相機(jī)里面增加了增益寄存器,在增益寄存器中分布有倍增電極,用于加速載流子,高速的電荷會(huì)激發(fā)更多的載流子,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。電荷經(jīng)過(guò)增益寄存器,可實(shí)現(xiàn)定量倍增(通常1-1000倍可調(diào)),原理如下圖所示:
EMCCD通常使用背照式芯片,在弱光成像時(shí)盡可能收集所有的入射光,并且不管其他有的沒(méi)的,直接將信號(hào)放大個(gè)兩百倍,這樣,即使是高速的讀出端口,EMCCD的等效讀出噪聲也可以小于1e-。而CCD只能通過(guò)增加曝光時(shí)間提高信噪比;但在觀測(cè)較亮目標(biāo)時(shí),EMCCD在信號(hào)放大過(guò)程中會(huì)引入其它噪聲,在相同曝光時(shí)間下,CCD或許是更好的選擇。
EMCCD的典型工作模式為感光區(qū)按照指定曝光時(shí)間積分,待曝光結(jié)束后感光區(qū)電荷迅速轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)區(qū),感光區(qū)可立刻進(jìn)入下一次曝光;與此同時(shí),存儲(chǔ)區(qū)的電荷從上到下逐行進(jìn)行轉(zhuǎn)移;在讀出過(guò)程中電荷轉(zhuǎn)移至增益寄存器進(jìn)行放大并讀出。這種工作模式讀出速度快,可以無(wú)需機(jī)械快門(mén),通常可以每秒獲取十幾張圖像,能夠滿(mǎn)足一些科學(xué)目標(biāo)對(duì)短曝光、快讀出的需求。
隨著上世紀(jì) 70 年代和 80 年代固態(tài)成像應(yīng)用的飛速發(fā)展, CCD 技術(shù)和制造加工在光學(xué)特性和成像質(zhì)量方面得到了優(yōu)化。在上世紀(jì)末的 25年里, CCD 技術(shù)一直統(tǒng)領(lǐng)著圖像傳感器件的潮流,它是能集成在一塊很小的芯片上的高分辨率和高質(zhì)量圖像傳感器。
•CMOS和sCMOS
CMOS(Compementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體),CMOS圖像生成機(jī)理同樣是光電效應(yīng),它的工作過(guò)程也包括電荷產(chǎn)生、電荷收集、電荷包轉(zhuǎn)移和電荷包測(cè)量。與CCD不同的是CMOS每個(gè)像素都集成了模擬電路,四個(gè)過(guò)程在一個(gè)像素里完成,即每個(gè)像素輸出的是轉(zhuǎn)換完的電壓信號(hào)。
CMOS應(yīng)用電子快門(mén),如卷簾快門(mén)和全局快門(mén)。
?卷簾快門(mén):圖像是逐行讀出的,這與機(jī)械快門(mén)很像,在拍攝快速移動(dòng)的物體時(shí)會(huì)出現(xiàn)斜坡圖像、晃動(dòng)等現(xiàn)象。
?全局快門(mén):像素在曝光時(shí)間積累電荷,曝光結(jié)束后所有像素同時(shí)重置、同時(shí)傳輸?shù)酱鎯?chǔ)區(qū)域并讀出,所以拍攝快速移動(dòng)物體沒(méi)有變形。
相比全局快門(mén)像素,卷簾快門(mén)像素讀出噪聲低、讀出速度快,適合拍攝與相機(jī)相對(duì)靜止或者一些要求低噪聲和高幀頻的目標(biāo)圖像;全局快門(mén)像素則更適合拍攝與相機(jī)之間具有相對(duì)高速運(yùn)動(dòng)的目標(biāo)圖像。電子快門(mén)相較機(jī)械快門(mén),無(wú)需考慮快門(mén)效應(yīng)和快門(mén)壽命,在實(shí)際使用中可以實(shí)現(xiàn)短曝光,同時(shí)維護(hù)、維修方便。
|CMOS傳感器高光時(shí)刻
電源消耗量比CCD低,CCD為提供優(yōu)異的影像品質(zhì),付出代價(jià)即是較高的電源消耗量,為使電荷傳輸順暢,噪聲降低,需由高壓差改善傳輸效果。但CMOS傳感器將每一畫(huà)素的電荷轉(zhuǎn)換成電壓,讀取前便將其放大,利用3.3V的電源即可驅(qū)動(dòng),電源消耗量比CCD低。
與周邊電路的整合性高,可將ADC與訊號(hào)處理器整合在一起,使體積大幅縮小。
在板級(jí)版本,非常適合用于嵌入式視覺(jué)系統(tǒng)。速度、大小、重量、可替換性和其他因素也有助于創(chuàng)建強(qiáng)大的移動(dòng)多攝像頭設(shè)置。
價(jià)格戰(zhàn)完勝,在相同分辨率下,CMOS價(jià)格比CCD便宜,但是CMOS器件產(chǎn)生的圖像質(zhì)量相比CCD來(lái)說(shuō)要低一些。
2009年出現(xiàn)了科學(xué)級(jí)CMOS(scientific CMOS, sCMOS)技術(shù),該技術(shù)基于CMOS的架構(gòu),通過(guò)片上相關(guān)多采樣來(lái)降低噪聲、調(diào)整半導(dǎo)體摻雜比例等提高像素滿(mǎn)阱容量、大小增益雙路讀出合成高動(dòng)態(tài)范圍圖像技術(shù)提高動(dòng)態(tài)范圍、二維無(wú)縫拼接技術(shù)實(shí)現(xiàn)大靶面等,克服了CMOS的一些缺點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了低噪聲、高幀頻、高動(dòng)態(tài)范圍、高分辨率、大靶面等。sCMOS作為CMOS一種類(lèi)型,主要應(yīng)用于科研領(lǐng)域。
2015 年后,隨著 CMOS 芯片技術(shù)革新,原 CMOS 的性能短板(如暗噪聲抑制,量子效率等)不斷改善, CMOS 成像質(zhì)量逐漸接近甚至超過(guò) CCD。同時(shí) CMOS 的低功耗,高幀速,低成本,易開(kāi)發(fā)等原有優(yōu)勢(shì)更加明顯,工業(yè)視覺(jué)的全 CMOS 時(shí)代條件逐漸成熟,國(guó)內(nèi)成像器件資源開(kāi)始豐富,涌現(xiàn)了多個(gè)具有國(guó)際水平的國(guó)產(chǎn) CMOS 芯片和 FPGA 芯片廠商,在成像 CMOS 芯片方面,出現(xiàn)眾多國(guó)產(chǎn)高分辨率芯片,高速芯片和高靈敏芯片,極大助力了國(guó)產(chǎn)工業(yè)相機(jī)的發(fā)展。
|CMOS VS CCD、sCOMS

功能參數(shù)對(duì)比圖
•總結(jié)
1、現(xiàn)代的CMOS芯片從趨勢(shì)上已逐步替代標(biāo)準(zhǔn)CCD芯片。將來(lái)的視覺(jué)相機(jī)市場(chǎng)的主要發(fā)展方向仍然是以 CMOS 作為基礎(chǔ)元件核心,這不僅僅在于價(jià)格方面,而且還因?yàn)槊鞔_的技術(shù)優(yōu)勢(shì),包括更快的速度、更高的分辨率、更少的圖像干涉或極低的發(fā)熱。
2、CCD、EMCCD、CMOS和sCMOS作為半導(dǎo)體感光器件,因其結(jié)構(gòu)不同,特點(diǎn)不同。在實(shí)際檢測(cè)中,選擇適合的才是好的。
3、為滿(mǎn)足部分高端機(jī)器視覺(jué)的應(yīng)用需求,國(guó)內(nèi)外知名廠家不斷努力,研發(fā)出了多種新型芯片技術(shù)。例如, TOF 芯片技術(shù)、多光譜芯片技術(shù)、事件類(lèi)芯片、智慧芯片等,用于解決復(fù)雜場(chǎng)景、更多維度的圖像信息采集處理。

 

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