每個(gè)檢測(cè)器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進(jìn)行檢測(cè)的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測(cè)器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應(yīng)度,并且針對(duì)不同的電性能進(jìn)行了優(yōu)化。光電二極管非常適合用于激光功率監(jiān)測(cè)、半導(dǎo)體光刻和利用極紫外光的計(jì)量系統(tǒng)等應(yīng)用。SXUV100TF135針對(duì)更高速的反向偏置電壓操作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件具有低電容,通常為260pF,反向偏置電壓為12伏。
產(chǎn)地:法國(guó)
擊穿電壓:25 V
配置:?jiǎn)蝹€(gè)
模塊:否
包裝:陶瓷
包裝類(lèi)型:陶瓷
光電探測(cè)器類(lèi)型:PN
操作模式:光電導(dǎo)
波長(zhǎng)范圍:18至80 nm
響應(yīng)時(shí)間:20 ns
反向電壓:25 V
光譜帶:紫外線(xiàn)
電容:220至350 pF
暗電流:8至25 nA
響應(yīng)性/感光度:0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積:100 mm2(10 mm x 10 mm)
工作溫度:-10至40℃
儲(chǔ)存溫度:-10至40℃
激光功率監(jiān)測(cè)
半導(dǎo)體光刻
計(jì)量系統(tǒng)