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E2V芯片DDR4

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  • 品牌名稱：E2V
  • 規(guī)格型號：DDR4
產(chǎn)品介紹

DDR4理想的伴侶芯片，適用于處理器、FPGA、SiP解決方案等太空級設(shè)備…4/8GB耐輻射DDR4內(nèi)存多芯片封裝（MCP）是一種高密度內(nèi)存解決方案，針對空間嵌入式系統(tǒng)和應(yīng)用。

這種空間級DDR4內(nèi)存能夠提高性能，同時占用小的板載空間——這在高度空間限制、密集的衛(wèi)星設(shè)計中肯定是有價值的。它可以與具有DDR4控制器的處理器和FPGA結(jié)合使用，也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用計算平臺以及Space版本的LS1046四核處理器（QLS1046-4GB）。與DDR4內(nèi)存一起，提供了一個完整的輻射和應(yīng)用數(shù)據(jù)包，使設(shè)計師能夠快速開發(fā)他們的板，風(fēng)險小。

性能特點
  • 非常小的占地面積：與使用分立組件相比，節(jié)省了板空間。
  • 每立方英寸存儲容量非常高。
  • 每立方英尺存儲帶寬非常高。
  • 堅固耐用：焊接PBGA。
  • 高信號完整性。
  • 8毫米間距：無引線和有引線球選項。
  • 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數(shù)、非密封操作的高可靠性和空間應(yīng)用。
選型指南

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地：英國

密度：4GB/8GB

總線寬度：72位（64位數(shù)據(jù)+8位ECC）

速度：高達(dá)2400 MT/s

模塊尺寸：15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球數(shù)量：391

間距：0.8 mm

SEL-LET閾值：>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差：100 krad（Si）

質(zhì)子：可獲得高達(dá)190MeV的數(shù)據(jù)

可編程CAS延遲：13,15,16,17,19

復(fù)位：異步

兼容封裝：SnPb和RoHS

重量：1.2 g+/-0.1 g

 

產(chǎn)品參數(shù)

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