這些緊湊且調(diào)制率高的頂發(fā)射GaAs基垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)芯片可作為工程樣品用于開發(fā)和評估光學(xué)互連、光學(xué)背板和集成波導(dǎo)以及下一代光學(xué)數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。VCSEL使用地源-地(GSG)微探針或引線鍵合在頂表面上單獨(dú)接觸。
產(chǎn)地:德國
發(fā)射波長:850 nm(范圍840–860 nm)
數(shù)據(jù)速率:高達(dá)112 Gbit/s
閾值電流:<0.6 mA
峰值輸出功率:~4 mW
峰值正向電流:8mA
反向電壓:max.5V
工作溫度:85°C
儲存溫度:-40…100°C
焊接溫度:150°C
VCSEL間距:250µm
數(shù)據(jù)速率:max.56 GBaud/s
光學(xué)帶寬:max.30 GHz
斜坡效率:max.0.5 W/A
閾值電流:max.0.6 mA
差動電阻:max.70?
光束發(fā)散度:30°
峰值輸出功率:4 mW
光譜帶寬(RMS):max.0.65 nm
長度:max.250µm
高度:140…160µm
寬度:max.250µm
SWDM中的200G/400G
專有光互連
有源光纜(AOC)