aXMD2150 是一款基于砷化鎵 (GaAs) 導(dǎo)波技術(shù)的緊湊型高性能電光調(diào)制器。它非常適合從 DC 到 60GHz 的寬帶數(shù)字和模擬應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,空間和重量是重要的。這款線性 Mach Zehnder 設(shè)備將帶寬和驅(qū)動功率性能與緊湊的折疊光學(xué)配置相結(jié)合,該配置將 RF 和光學(xué)接口隔離到相對的兩端,并有助于保持 RF 饋送的完整性。該設(shè)備核心的 GaAs 芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的大批量鑄造工藝制造,并且(與其他 GaAs 設(shè)備一樣)具有高度的環(huán)境穩(wěn)定性,無需進(jìn)行溫度控制。
產(chǎn)地:英國
技術(shù):砷化鎵 (GaAs) 導(dǎo)波
光插入損耗:max.7 dB
RF 電極:max.5.5 V DC
電光響應(yīng):min.40 GHz
電回波損耗:min.8 dB
光回波損耗:min.30 dB
電光平坦度:max.±0.8 dB
消光比:min.20 dB
偏置電極:max.10 V
正交控制點:max.0...4 V
寬帶數(shù)字通信 (BPSK)
光纖射頻
相控陣天線遠(yuǎn)程控制
航空航天和國防系統(tǒng)
衛(wèi)星通信
自由空間光鏈路
高吞吐量衛(wèi)星