IOD-FMB-18001模塊是應用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時高達2MV/W,在1THz時高達0.2MV/W。
噪聲等效功率(NEP)估計在300GHz時低至5.0pW/Hz0.5,在1THz時低至45pW/Hz 0.5。
Femi-level managed barrier(FMB)二極管模塊是一種基于InP/InGaAs異質結構的超低噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢壘二極管(SBD)中的金屬/半導體界面,在FMB二極管中使用InGaAs/InP異質界面(勢壘高度~100meV)。
此低勢壘高度提供低二極管差分電阻(Rd)以及二極管與寬帶蝴蝶結天線之間的良好阻抗匹配。
異質勢壘結構由n-InGaAs、未摻雜的InP和n-InP層組成。由于高摻雜n-InGaAs中的費米能級可以遠高于導帶邊緣,這取決于載流子密度,異質界面處的勢壘高度(ΦBn)可以降低到100meV或更小。由于低勢壘高度,FMB二極管產生約5.0pW/Hz0.5的良好NEP。
噪聲等效功率(NEP):
電壓靈敏度: